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Wolfspeed发布1700V碳化硅MOSFET
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摘要
Cree下属的科技公司Wolfspeed近期宣布,他们已经成功研发出行业内首款1700V碳化硅MOSFET,新产品采用优化后的表面贴装封装技术,能够应用于商用高压功率逆变系统中的辅助电源系统。据该公司称,阻断电压较高为1.75kV时,设计者们能将较低速率的硅材料MOSFET替换为新型碳化硅MOSFET,可提供更高效率,简化驱动电路。
作者
科信
出处
《半导体信息》
2015年第6期22-23,共2页
Semiconductor Information
关键词
Wolfspeed
逆变系统
阻断电压
表面贴装
碳化硅材料
驱动电路
辅助电源
芯片尺寸
首款
不间断电源设备
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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.中国电子科学研究院学报,2009,4(2):111-118.
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张波,邓小川,陈万军,李肇基.
宽禁带功率半导体器件技术[J]
.电子科技大学学报,2009,38(5):618-623.
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3
张波,陈万军,邓小川,汪志刚,李肇基.
氮化镓功率半导体器件技术[J]
.固体电子学研究与进展,2010,30(1):1-10.
被引量:12
4
李子欣,王平,楚遵方,朱海滨,李耀华.
面向中高压智能配电网的电力电子变压器研究[J]
.电网技术,2013,37(9):2592-2601.
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5
宋强,赵彪,刘文华,曾嵘.
智能直流配电网研究综述[J]
.中国电机工程学报,2013,33(25):9-19.
被引量:557
6
周孝信,鲁宗相,刘应梅,陈树勇.
中国未来电网的发展模式和关键技术[J]
.中国电机工程学报,2014,34(29):4999-5008.
被引量:461
7
钱照明,张军明,盛况.
电力电子器件及其应用的现状和发展[J]
.中国电机工程学报,2014,34(29):5149-5161.
被引量:232
8
郑畅.
Cree推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台[J]
.半导体信息,2015(5):8-9.
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赵佶.
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.半导体信息,2015,0(4):6-7.
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盛况,郭清.
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.南方电网技术,2016,10(3):87-90.
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1
1
刘宏勋,徐海.
碳化硅电力电子器件及其在电力电子变压器中的应用[J]
.科学技术与工程,2020,20(36):14777-14790.
被引量:9
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国运之.
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.中国粉体工业,2021(5):10-13.
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陈健,万妮娜,郭昊,徐溧,付焱燚,陈彬.
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.科学技术与工程,2022,22(16):6522-6529.
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郝晓丽,苑泽伟,温泉,郭胜利.
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.金刚石与磨料磨具工程,2022,42(3):268-274.
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.科学技术与工程,2022,22(32):14252-14258.
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刘卫.
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薛涛.
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.世界电子元器件,2012(2):34-34.
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曹洪奎,陈之勃,孟丽囡.
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.辽宁工业大学学报(自然科学版),2014,34(2):82-85.
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姬慧莲,杨银堂,郭中和,柴常春,李跃进.
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.微电子学与计算机,2003,20(4):66-69.
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.电源世界,2004(2):39-41.
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.今日电子,2016,0(7):67-67.
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.科技与企业,2013(21):290-291.
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方玉甫.
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半导体信息
2015年 第6期
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