日本东芝公司推出最新射频绝缘体上硅(SOI)技术

东芝电子公司欧洲公司近期发布了新一代绝缘体上硅技术,命名为TarfSOI,升级后的新技术可以应用于射频开关。射频开关集成电路,例如新款单极12掷开关,就是采用新型TaRF8工艺制成的,据称在2.7GHz条件下具有行业内最低水平的插入损耗,仅为0.32dB。与东芝公司目前采用TaRF6工艺生产的产品相比较,插入损耗降低0.1dB。