一款用于高频碳化硅晶体管的八边形单元拓扑结构

美国北卡罗莱纳州立大学Kijeong Han和BJ Baliga开发了一款4H-多型碳化硅(4H-SiC)八边形电池功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),其降低了栅极电容和电荷,提高了频率品质因数(HF-FOM),使其优于传统的线性布局器件。Han和Baliga表示,设计是首款通过使用八边形单元拓扑结构来改进4HSiC功率MOSFET的HF-FOM的实验性器件,该器件的目标是1.2kV级应用。