Vishay推出的新款60V MOSFET 是业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件

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摘要日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新款60V TrenchFET第四代n沟道功率MOSFET-SiSS22DN,业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件,10V条件下最大导通电阻降至4mW,采用热增强型3.3mm×3.3mm PowerPAK 1212-8S封装。

出处《半导体信息》 2019年第4期5-5,共1页 Semiconductor Information

关键词 MOSFET 栅极驱动电路 VISHAY

分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]

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