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三星:GAA FET与EUV是半导体领域下一代重要突破
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摘要
日前,三星半导体博客刊发了一篇TECHnalysis Research公司总裁兼首席分析师Bob O’Donnell的文章,他提出了他对于过渡到全新Gate-All-Around晶体管结构的看法。通过重新思考和重新构建基本的晶体管设计,Bob认为技术行业可以期待几代工艺技术的改进,同时减少半导体尺寸和功率要求,以及提高半导体性能。
出处
《半导体信息》
2019年第4期17-18,共2页
Semiconductor Information
关键词
工艺节点
EUV
GAA
FET
下一代
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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