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功率应用中的P沟道和N沟道MOSFET 被引量:1

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摘要 MOSFET是大多数开关电源(SMPS)中晶体管的选择。MOSFET可以作为栅极整流器来提高效率。为了在功率应用中选择最好的开关,本文对优化后的P沟道和N沟道MOSFET进行了比较。
机构地区 Fairchild公司
出处 《中国集成电路》 2015年第12期43-44,51,共3页 China lntegrated Circuit
  • 相关文献

参考文献8

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  • 3网站:FairchildP沟道MOSFET>250 V https://www.fairchildsemi.com/products/discretes/fets/mosfets/ #rq=MOSFET_POLARITY=% 22P% 22% 7CMOSFET_ BVDSS%3C-250.
  • 4网站:FairchildN沟道MOSFET>250Vhttps://www.fairchildsemi.com/pr0ducts/discretes/fets/mosfets/ #Ns=P_MOSFET_BVDSSI 1 &&showAll=false&&showH rd=false&&rq=MOSFET_POLARITY="N"IMOSFET_BVDSS>250.
  • 5逻辑电平MOSFET的网站搜索结果https://www.fairchildsemi.com/products/discretes/fets/mosfets/#Ntk= AlllAll&&Ntt=logicllogic%20channel&&Ntx=mode+ matchallpartiallmode+matchallpartial&&Nty= I &&show All=false&&showHrd=false&&rq=MOSFET_POLARIT Y="N" IMOSFET_BVDSS<=250.
  • 6“用于高压栅极驱动IC的自举电路的设计与应用指南”,Fairchild应用指南AN-6076,版本1.4,2014-12-18 . https://www.fairchildsemi.com/applica- tion-notes/AN/AN-6076.pdf.
  • 7了解更多物理电热SPICE模型:http://blog.fairchildsemi.com/2014/high-voltage-mosfet-igbt-spice -models-created-equal/#.VNT2bUfF98E.
  • 8下载最新的元件模型:https://www.fairchildsemi.com/design/models/pspice.

引证文献1

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