超低功耗亚阈值CMOS电压基准设计

文章提出了一种采用标准CMOS工艺,基于不同阈值器件的阈值差原理实现的超低功耗电压基准电路。电路实现了213m V的低基准电压输出,在原有亚阈值电路研究的基础上,添加超低功耗运放电路,降低了输出电压的线性调整率。电路中所有器件都工作在亚阈区,实现了超低功耗,在0.8V工作电压温度190℃时的功耗仅为80n W。在20至190℃范围内,平均温度系数约为16.5ppm/℃,在0.8到4V工作电压范围内,线性调整率为0.044%/V。电源抑制比为73d B@100Hz,核心电路版图面积约为0.0144mm2。