砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(7)
摘要
2014年,天津三安光电公司报道,他们成功研发了晶格应变三结叠层GaInP/GaInAs/Ge高倍聚光电池,并进行了规模生产,聚光电池效率达到40%~41%。在青海神光格尔木建立了50MW高倍聚光光伏电站,在青海日芯建立了60MW高倍聚光光伏电站。
出处
《太阳能》
2015年第12期18-18,55,共2页
Solar Energy
参考文献5
-
1林桂江.聚光高效多结太阳电池的研究进展和市场化情况[A].中国化学与物理电源行业协会太阳能光伏分会第三届学术研讨会[c],上海,2014.
-
2Wanlass M, Ahrenkiel P, Albin D, et al. Monolithic, ultra-thin GalnP/GaAs/GalnAs tandem solar cells[A]. 2006 IEEE 4th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion [C], Waikoloa, HI, 2006, 1: 729- 732.
-
3Geisz J F, Friedman D J, Ward J S, et al. 40.8% efficient inverted triple-junction solar cell with two independently metamorphic junctions[J]. Applied Physics Letters, 2008, 93(12): 123505.
-
4姜伟,张永,王向武,等.高效率倒装聚光三结太阳电池[A].CPVC-14[C],北京,2014.
-
5Chiul P, Wojtczukl S. Harris C, et al. 42.3% efficient InGaP/GaAs/InGaAs concentrators using bifacial epigrowth[A]. Proceedings of36rd IEEE PVSC[C], Seattle, Washington, .201 1.
-
1马德录,毛晓峰,尚德颖.N^+和N_2^+注入Si的力学和电学特性[J].Journal of Semiconductors,1990,11(8):635-638. 被引量:3
-
2向贤碧,廖显伯.砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(1)[J].太阳能,2015(6):15-16.
-
3向贤碧,廖显伯.砷化镓基系III-V族化合物半导体太阳电池的发展和应用(9)[J].太阳能,2016(2):12-13. 被引量:1
-
4马德录,韩宇,牟晓兰.As^+注入Si中的晶格应变(英文)[J].辽宁大学学报(自然科学版),1999,26(3):228-232.
-
5Aina,O,赵晓晋.高速Inp/GaInAs异质结光电晶体管[J].光纤通信技术,1991(6):30-32.
-
6Schum.,H,彭珍珍.蓝宝石衬底高速InP/GaInAs光电二极管[J].光纤通信技术,1990(3):31-33.
-
7向贤碧,廖显伯.砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(4)[J].太阳能,2015(9):18-18. 被引量:2
-
8向贤碧,廖显伯.砷化镓基系Ⅲ-V族化合物半导体太阳电池的发展和应用(8)[J].太阳能,2016(1):10-11.
-
9英敏菊,董西亮.0.28 MeV Zn离子注入GaInP/GaInAsP量子阱薄膜材料的损伤行为研究[J].北京师范大学学报(自然科学版),2008,44(4):384-386.
-
10向贤碧,廖显伯.砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(3)[J].太阳能,2015(8):13-14.