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国产碳化硅实现量产或将替代单晶硅

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摘要 近日,我国自主研制的又一款4英寸高纯半绝缘碳化硅衬底产品问世。据报道,该碳化硅项目由山东天岳研制而成的。中国电子材料行业协会组织的专家认为,该成果国内领先,已达到国际先进水平。此前,北京天科合达与中科院合作,成功研制了从2英寸到6英寸的碳化硅衬底,完成了我国碳化硅半导体从无到有的过程。如今,我国第二家企业也实现了碳化硅材料大规模量产,标志着我国碳化硅材料发展逐渐走向成熟。
出处 《集成电路通讯》 2015年第4期35-35,共1页
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