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先进的90纳米CMOS工艺技术即将实用化

Nitride power transistor sets output record
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摘要 飞利浦电子、意法半导体和台湾半导体制造有限公司宣布,三家公司在新的先进的90纳米（0.09微米）CMOS技术上达成一项合作协议。三方协议还包括CMOS下一代技术65纳米以及更小纳米CMOS的开发。 90纳米试验装置已经分别在飞利浦和ST的法国Crolles工厂、台湾半导体新竹工厂内竣工。90纳米产品的原型预计在今年的下半年推出。项目开发采用三家企业内部的研发团队和客户技术设计机构的专业技术。90纳米工艺涉及三个合作伙伴及其相关的先进的实验室,包括“飞利浦研究”、IMEC、CEA/LETI和“法国电信研发”
出处 《今日电子》 2002年第4期4-4,共1页 Electronic Products
关键词 90纳米 CMOS 工艺技术 实用化
分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学] TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]
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参考文献2

二级参考文献15

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2002年 第4期

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