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高精度单芯片保护集成电路

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摘要 AP9234L把高精度电池保护电路与双N通道共漏极MOSFET集成起来,后者具有超低的R_(ss(ON))规格,在VDD=4.0V及ID=1.0A的情况下一般仅为13mΩ。当该器件检测到过充电压/电流、过放电压/电流或负载短路的情况时就会自动关断MOSFET,从而确保充放电安全。
出处 《今日电子》 2016年第1期61-61,共1页 Electronic Products
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