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世界首家ROHM开始量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET
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摘要
全球知名半导体制造商ROHM近日世界首家开发出采用沟槽结构的SiC—MOSFET,并已建立起了完备的量产体制。与已经在量产中的平面型SiC—MOSFET相比,同一芯片尺寸的导通电阻可降低50%,这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用逆变器等所有相关设备的功率损耗。
作者
赵佶
出处
《半导体信息》
2015年第4期6-7,共2页
Semiconductor Information
关键词
沟槽结构
世界
半导体制造商
MOSFET
功率调节器
太阳能发电
导通电阻
芯片尺寸
分类号
TN946.5 [电子电信—信号与信息处理]
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