在独立氮化镓衬底上制备垂直肖特基势垒二极管

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摘要日本ToyodaGosei公司近日研发出垂直氮化镓肖特基势垒二极管（SBD），能够在790V反向阻断的条件下，处理50A的正向电流。研究人员称，

作者科信

出处《半导体信息》 2015年第4期17-18,共2页 Semiconductor Information

关键词肖特基势垒二极管氮化镓垂直制备衬底研究人员

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2015年第4期

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