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美国实现硅基氮化镓垂直二极管,电流泄漏得到有效降低
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摘要
美国研究者近日研发出硅基垂直肖特基和pn氮化镓二极管,性能可与在其他成本较高的衬底上生产的器件相比肩。
作者
科信
出处
《半导体信息》
2015年第4期27-29,共3页
Semiconductor Information
关键词
二极管
氮化镓
电流泄漏
垂直
硅基
美国
肖特基
器件
分类号
TN31 [电子电信—物理电子学]
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