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采用横向外延过生长技术制备n-InP/p-Si异质结
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摘要
KTH是位于瑞典的皇家科技研究院,近日采用波纹面横向外延过生长(CELOG)方式研制出了由n型InP和P型silicon材料构成的异质结。通常情况下,89/6的晶格失配会导致异质结具有较高的位错密度,而KTH采用CELOG方式成功研制出异质结光电二极管。
作者
科信
出处
《半导体信息》
2015年第4期30-31,共2页
Semiconductor Information
关键词
异质结
INP
生长技术
SILICON
横向外延过生长
SI
制备
光电二极管
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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魏茂林,齐鸣,孙一军,李爱珍.
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