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在砷化镓铟晶体管中应用高压退火技术

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摘要 美国和韩国的研究者们研发了一种在氢气下的高压退火工艺,应用于铟镓砷量子阱上的AlzO3/HfO3栅堆叠。该项研究的目的在于减少界面和边界处的陷阱,减轻它们对晶体管性能和阈值电压可靠性的负面影响。
作者 科信
出处 《半导体信息》 2015年第4期32-33,共2页 Semiconductor Information
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