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在砷化镓铟晶体管中应用高压退火技术
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摘要
美国和韩国的研究者们研发了一种在氢气下的高压退火工艺,应用于铟镓砷量子阱上的AlzO3/HfO3栅堆叠。该项研究的目的在于减少界面和边界处的陷阱,减轻它们对晶体管性能和阈值电压可靠性的负面影响。
作者
科信
出处
《半导体信息》
2015年第4期32-33,共2页
Semiconductor Information
关键词
晶体管
退火技术
砷化镓铟
高压
应用
退火工艺
阈值电压
量子阱
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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