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氧化镍薄膜用于阻变存储器研究进展

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摘要 电脉冲诱发材料电阻可逆变化(EPIR)效应,即对薄膜施加电脉冲可以在室温下观察到体系电阻的可逆变化。利用EPIR效应可以制造新型的基于电阻变化的非挥发性存储器来代替制作工艺已经接近物理极限的闪存技术。本文介绍了应用于电阻式内存材料的技术挑战、关键问题以及具有EPIR效应的氧化镍(Ni Ox)薄膜用于阻变存储器研究进展。
作者 周歧刚
出处 《有色金属文摘》 2015年第6期130-131,共2页 Nonferrous Metals Abstract
基金 乐山师范学院科研项目资助(Z1408)
  • 相关文献

参考文献3

  • 1Dongsoo Lee, Dong-jun Seong, Inhwa Jo, F, et al. Resistance switching of copper doped MoO, films for nonvolatile memory applications[J]. Appl Phys Lett, 2007,90:122104.
  • 2S H Chang, et al. Effects of heat dissipation on unipolar resistance switching in Pt/NiO/Pt capacitors [ J ]. Appl Phys Lett, 2008,92 : 183507.
  • 3Hisashi Shima, Fumiyoshi Takano, Hidenobu Muramatsu, et al. Control of resistance switching voltages in rectifying Pt/TiOJPt trilayer[J]. Appl Phys Lett, 2008,92:043510.

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