SiC专刊征稿启事

电力电子器件发展直接带动了大功率变流器水平的整体提升，并促进和推动了电力电子技术和应用的迅速发展。碳化硅（SiC）作为当前国际上最先进的第三代新型半导体材料，具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子漂移速度等特点。与传统的硅材料器件相比，SiC器件可减少能耗75％，大幅降低设备成本并提高系统可靠性，可广泛应用于国民经济的各个领域。