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等离子体辅助对蒸发沉积制备铜锌锡硫薄膜的影响

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摘要 本文在传统蒸发沉积制备工艺的基础上,引入ICP(Inductively coupled plasma)等离子体辅助技术,在玻璃衬底上制备了铜锌锡金属前驱体。在蒸镀过程中保持衬底温度为220oC,气压为6.5×10-2Pa,引入氩等离子体辅助蒸发舟蒸镀。通过扫描电子显微镜,能谱分析和X射线衍射进行表征,探究等离子体辅助作用对金属前驱体生长情况的影响。结果表明:等离子体的引入使得金属前驱体的晶粒尺寸变大,排列致密,结晶程度较高;随着等离子体的引入,前驱体中Zn的含量也随之增大,从而优化铜锌锡硫薄膜的生长。
作者 邓辉 李烨
出处 《电子世界》 2016年第5期93-94,共2页 Electronics World
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