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测量器件特性偏差的完全分离型DMA_TEG的设计实现

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摘要 在工艺研发的过程,常常需要分析工艺参数对于器件参数的影响,在器件模型提取的过程中也需要对器件参数做大量测量。这就需要精确、高效地测量器件参数。为此,本文设计了测量器件特性偏差用的DMA_TEG(Device Matrix Array Test Element Group)结构,目标是提高测量的效率。所使用的结构已在HLMC 40LP工艺上实现。本文主要介绍DMA_TEG的设计思路,以及如何利用DMA_TEG系统研究影响器件特性的因素。
作者 张宁 叶立
出处 《中国集成电路》 2016年第1期76-79,共4页 China lntegrated Circuit
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参考文献3

  • 1Takaaki Tisunomura, Akio Nishida, and Toshiro Hi- ramoto, "Analysis of NMOS and PMOS Difference in VT Variation With Large-Scale DMA-TEG" IEEE TRAN- SACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 56, NO. 9, SEPTEMBER 2009.
  • 2T.Tsunomura, A.Nishida, F.Yano, A.T.Putra, K. Takeuchi, S.Inaba, S.Kamohara, K.Terada, T.Hiramoto, T.Mogami "Analyses of 5 (r Vth Fluctuation in 65nm- MOSFETs Using Takeuchi Plot" VLSI Syrup. Tech. Dig. 2008, pp. 156-157.
  • 3Terada, K.; Takeda, R.; Tsuji, K.; Tsunomura, T.; Nishida, A; Mogami, T., "Study on Device Matrix Array structure for MOSFET gm variability evaluation," Mi- croelectronic Test Structures ( ICMTS ), 2012 IEEE In- ternational Conference on., pp. 73, 76, 19 - 22 March 2012.

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