先进工艺上逻辑兼容的可编程嵌入式非挥发性内存技术

下载PDF

导出

摘要力旺电子延续在Neo Bit技术开发的成功经验,自2013年起正式推出全新反熔丝架构之嵌入式非挥发性内存技术Neo Fuse,将单次可编程嵌入式非挥发性内存技术的布局版图从成熟工艺进一步推展至先进工艺。Neo Fuse瞄准先进工艺平台,具备IP组件尺寸小与数据保存能力佳等特点,可满足客户产品在先进工艺产品的进阶需求。

机构地区力旺电子

出处《中国集成电路》 2016年第1期87-87,89,共2页 China lntegrated Circuit

关键词非挥发性逻辑兼容晶圆代工厂数据保存熔丝客户产品技术开发电路复杂度供应厂商数据储存

分类号 TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]

引文网络
相关文献

1力旺电子推出全新反熔丝架构嵌入式非挥发性内存技术NeoFuse[J].中国集成电路,2013,22(6):14-14.
2研祥领跑嵌入式技术[J].微计算机信息,2005,21(09X):176-176.
3ARM在北京设立办事处加大本地化支持力度[J].电子设计应用,2004(10):79-79.
4许志坚.关注客户需求赢得HMI市场[J].现代制造,2009(39):8-8.
5杨剑.深亚微米时代引入DFM,直面良率挑战[J].电子与电脑,2006(12):15-16.
6华虹宏力eNVM工艺技术的StarChip银行卡安全芯片[J].集成电路应用,2016,0(11):45-45.
7小，快，灵 ASUS ZenBook U305诠释新生代笔记本的基因[J].新潮电子,2015,0(5):70-72.
8华虹半导体2015年上半年智能电表芯片出货量创历史新高[J].集成电路应用,2015,0(9):43-43.
9柴振荣.计算机附属设备[J].管理观察,1995,0(7):43-43.
10麻连登.读编往来[J].自动化信息,2005(3):24-24.

中国集成电路

2016年第1期

浏览历史

内容加载中请稍等...

先进工艺上逻辑兼容的可编程嵌入式非挥发性内存技术

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史