期刊文献+

基于20MVA NPC/H桥变流器功率器件模型的研究 被引量:2

Investigation on the Power Device Model of 20MVA NPC/H-bridge Converter
下载PDF
导出
摘要 基于集成门极换流晶闸管(IGCT)的大容量电力电子变流装置广泛应用于冶金传动、矿井提升、油气输送等工业领域,为研究IGCT的器件特性,需进行建模分析。提出一种IGCT的功能型模型,分析了IGCT等效工作电路的理论换流过程。仿真模型具有计算速度快、参数求解简单的特点,并在仿真软件PSIM中实现,仿真与实验结果验证了模型的有效性和换流过程分析的正确性。 High power electronic devices based on integrated gate commutated thyristor (IGCT) are widely used in the metallurgical transmission,mine hoisting,oil and gas transportation and other fields.In order to research the characteristic of IGCT, it is necessary to build the simulation model.The functional model of IGCT is developed and the commutation process of IGCT equivalent circuit is analyzed.The model is of the key features such as high simulation speed and easy parameter solution,and is built in PSIM.The simulation and experimental results validate the effectiveness of simulation model and the correctness of commutation process analysis.
作者 杨培 李崇坚
出处 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2016年第3期78-81,共4页 Power Electronics
基金 国家高技术研究发展计划(863)(2011AA050403)~~
关键词 变流器 等效电路 功能型模型 换流过程 converter equivalent circuit functional model commutation process
  • 相关文献

参考文献5

二级参考文献30

  • 1宁小玲.关于如何正确测量二极管反向恢复时间的探讨[J].电子产品可靠性与环境试验,1994(1):43-53. 被引量:1
  • 2赵争鸣,张海涛,袁立强,白华,杨志.基于IGCT的高压三电平变频器失效机理及保护策略[J].电工技术学报,2006,21(5):1-6. 被引量:45
  • 3张巍,张立,陈志敏,郑同江,张昌利,季凌云,白杰,高占成.GTO 拖尾电流及其对关断性能的影响[J].中国电机工程学报,1997,17(3):190-194. 被引量:1
  • 4王正元(WangZhengyuan).世纪更迭中的电力电子器件(Power electronics devices in alternating of centenaries)[J].电工技术学报(Transaction of China Electrotechnical Society),1999,(14):22-28.
  • 5Steimer P K, Gruning H E, Weminger J. IGCT a new emerging technology for high power low cost inverters[C]. IEEE IAS Annual Meeting Record, 1997: 1592-1599.
  • 6Kraus R, Mattausch H J. Status and trends of power semiconductor device models for circuit simulation[J]. IEEE Trans. on Power Electronics, May 1998, 13: 452-465.
  • 7Gerhard Brauer, Adrian Wirth, Gerhard Wild. Simulation tools for the ACS1000 standard AC drive [J]. ABBReview, 1998, (5): 43-51.
  • 8PSIM. PSIM User Manual Version 5.0[M]. Powersim Inc. May 2001.
  • 9Zuckerberger A, Suter E, Schaub C. Design simulation and realization of high power NPC converters equipped with IGCTs [C]. IEEE IAS Annual Meeting Record, 1998: 865-872.
  • 10ABB Semiconductors AG. ABB IGCr 5SHY35L4502 Data Sheet [M]. Switzerland, ABB, 2002.

共引文献39

同被引文献8

引证文献2

二级引证文献3

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部