期刊文献+

固结磨料化学机械研抛K9玻璃的材料去除机理

下载PDF
导出
摘要 固结磨料化学机械磨料研抛K9材料取出的时候,其机械性能和化学作用是相互分离的,同时在处理的过程中对工件表面的硬度也会产生非常重大的影响。相关的研究已经显示研抛液能够和K9玻璃产生非常行明显的化学反应,同时能够起到保护的作用,在去除K9材料的时候是随着浸泡时间的增长而增长的,其去除的主要方式是脆性去除。主要分析了固结磨料化学机械研抛K9玻璃的材料去除机理,以供参考和借鉴。
出处 《黑龙江科技信息》 2015年第36期140-140,共1页 Heilongjiang Science and Technology Information
  • 相关文献

参考文献2

二级参考文献15

  • 1魏昕,熊伟,黄蕊慰,袁慧.化学机械抛光中抛光垫的研究[J].金刚石与磨料磨具工程,2004,24(5):40-43. 被引量:20
  • 2袁巨龙,王志伟,文东辉,吕冰海,戴勇.超精密加工现状综述[J].机械工程学报,2007,43(1):35-48. 被引量:136
  • 3赵彦玲,向敬忠,顾玉武.硼硅玻璃薄膜的抛光工艺[J].哈尔滨理工大学学报,2007,12(1):114-117. 被引量:1
  • 4Kulawski M. Polishing of Ground Silicon Wafer with Fixed Abrasive Pad[R]. Germany: The Proceeding of 9th CMP User Meeting. Neuss, 2002.
  • 5Ed K. Future of CMP to be Revolutionary, not Evolutionary [J ]. Semiconductor Manufacturing, 2002,3(7) :48-52.
  • 6Gagliardi J J, Vo T. STI Polishing with 3M's Fixed Abrasive[C]//The Proceeding of 16th International VLSI Multilevel Interconnection Conf. Santa Clara, CA, 1999:223-228.
  • 7Kim H Y, Park B Y, Lee S, et al. Self--Conditioning Fixed Abrasive Pad in CMP[J]. Journal of the Electrochemical Society, 2004, 151 (12): 858- 862.
  • 8Keppeler C R. Micromilling for Mold Fabrication [EB/OL]. [2007-02-21]. http://reportories. cdlib. org/Ima/pmg/2002, keeper.
  • 9Hahn P O. The 300mm Silicon Wafer a Cost and Technology Challenge [J]. Microelectronic Engineering, 2001,56(1/2) :3-13.
  • 10张坤领.硬脆材料加工技术发展现状[J].组合机床与自动化加工技术,2008(5):1-6. 被引量:25

共引文献27

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部