中科院在高迁移率沟道MOS器件研究方面获进展

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摘要中国科学院微电子研究所的研究人员在high—k／Ⅲ—V、high—k／Ge界面的缺陷行为及控制方法研究方面持续攻关，取得了重要进展。

作者深研院

出处《军民两用技术与产品》 2016年第5期23-23,共1页 Dual Use Technologies & Products

关键词 MOS器件迁移率中科院沟道电子研究所中国科学院研究人员

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军民两用技术与产品

2016年第5期

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