中科院在锑化物纳粹线研究领域取得系列进展

中国科学院半导体研究所的研究人员在InAsSb（铟砷锑）纳米线制备及机理研究方面取得了系列进展，首次在Si（硅）衬底上制备出了高质量的垂直InAsSb纳米线，并详细研究了Sb（锑）组分对纳米线生长的影响。