硫离子注入制备N.GaAs薄层

本文讨论了用S^+注入掺铬的半绝缘GaAs衬底以制备N—GaAs薄层。目的是代替微波低噪声砷化镓肖特基势垒场效应管(SBFET)所需要的GaAs薄外延层。注入条件:能量100Kev,剂量1.5×10^(13)/cm^2,退火温度为825℃,退火时间15分钟。已经做出0.2～0.3μm厚的N型薄层,平均载流子浓度为5×10^(16)～1×10^(17)/cm^3。。载流子迁移率在2600～3400cm^2/V.S的范围。薄层厚度和载流子浓度的均匀性是好的。采用双注入即注入S^+之后,再注入P^+可以改善注入层的电特性。利用S^+注入制备的N—GaAs薄层,已制出SBFET,其跨导和夹断电压可与气相外延薄层制备的SBFET相比拟。