氧离子注入GaAs的研究

本文研究了在160KeV能量下,O^+注入到n-GaAs或P-GaAs中所形成的半绝缘层的物理特性。测量了样品的电阻率、氧补偿后的载流子浓度分布及晶格损伤。在GaAs肖特基势垒场效应管(MESFET)及条形双异质结激光器的研制中,采用这种注氧隔离技术,取得了初步效果。本文认为O+注入GaAs形成半绝缘层的机制不是辐射损伤,而是O^+引入了双深能级。