守得云开,FD-SOI工艺迎来爆发期

FD-SOI（全耗尽绝缘硅）是指一种平面晶体管结构。这种平面架构是通过在绝缘硅片晶圆超薄的绝缘氧化埋层（BOX）上再生长一层超薄的单晶硅层来实现的。由于采用超薄硅层,所以不需要沟道掺杂,使晶体管得以全耗尽。此外,薄氧化埋层使得基底偏压功能可以满足功耗/性能以及成本要求。相比传统的硅CMOS（bulk COMS）工艺技术来说，FD-SOI结构可以很好地解决晶体管大规模集成到一定数量后的漏电问题，从而进一步推进摩尔定律发展。