40nm工艺32x32b双端口SRAM的设计与优化

这篇文章主要论述了在具体的工程实践中,由于6TSRAM在40nm工艺下的集成电路设计中表现出的性能和功耗均达不到设计要求,而在物理设计当中由寄存器组成的存储体的面积和功耗更难以胜任,所以需要定制设计一款32X32双端口8TSRAM。在先进工艺下8TSRAM所表现的性能和功耗均胜于前两者,在FT-X的芯片上运用该结构有效优化了时序和功耗。