157nm光刻面临的各种挑战

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摘要硅谷集团于1998年开始了一项极具挑战性和风险性的研究工作-157nm光刻的研究.在该项研究中,硅谷集团与工业界专家们建立了伙伴关系,其目的旨在寻求战胜这些挑战的合适方法.这些合作研究涉及157nm光刻的各方面问题,其中包括支撑曝光设备所需要的基础研究,例如光刻胶、光掩模(掩模母版)和先进的计量测试技术等.

作者金友

出处《光机电信息》 2002年第8期16-19,共4页 OME Information

关键词光刻光刻胶加工工艺薄膜污染净化

分类号 TN305.7 [电子电信—物理电子学]

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