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锗基笼状掺杂团簇的结构、稳定性和光谱性质 被引量:3

Structure,Stability and Spectroscopic Property of Doped Ge-based Cluster
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摘要 锗是重要的半导体材料之一,已被广泛应用于微电子工业领域中。本文利用密度泛函B3LYP方法,对AuGe+n(n=10~13)掺杂笼状团簇的结构、稳定性和光谱性质进行了理论研究。结果表明,每种团簇的基态结构都为Au原子内嵌的笼状构型,并且它们具有很强的平均键能和较高的配位数。通过对稳定的AuGe+12和AuGe+13团簇的红外和拉曼光谱进行理论模拟,找到了它们的特征吸收峰。并且,通过对这些团簇电子跃迁模式的研究,进一步探究Au原子掺杂团簇的光学效应。这些研究结果将为以后实验制备和表征提供重要的理论依据。 Germanium is one of important semiconductor materials because of its potential applications in the microelectronics industry.Using the DFT-B3 LYP methods,the structure,stability,and spectroscopic property of AuGe+n(n=10-13)clusters were studied systematically.The results show that each stable cluster exhibits the Au-encapsulated cage structure with high binding energies and large coordination number.By means of the simulated IR and Raman spectra,we identify the characteristic peaks of the AuGe+12and AuGe+13clusters.Moreover,in order to explore the electron transition in Au dopant,the UV-vis optical spectra are explored by TD-CAM-B3 LYP method.All of results studied here will provide the valuable references for future experiment.
作者 李小军
出处 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期213-216,315,共5页 Journal of Materials Science and Engineering
基金 陕西省教育厅基金资助项目(14JK2128) 西安市文理专项资助项目(CXY1352WL20 CXY1443WL03) 陕西省自然科学基金资助项目(2014JM2046) 博士启动基金资助项目
关键词 掺杂团簇 笼状结构 稳定性 光谱性质 doped cluster cage structure stability spectroscopy
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参考文献22

  • 1易俊,陈鹏,马向阳,杨德仁.n型补偿直拉单晶硅的电子迁移率[J].材料科学与工程学报,2015,33(1):5-8. 被引量:3
  • 2王慧娟,陈成,邓联文,江建军.硅晶体中点缺陷结合过程的分子动力学模拟[J].材料科学与工程学报,2007,25(2):298-300. 被引量:6
  • 3李常青,周婷婷,梅欣丽,任晨星.化学刻蚀两步法制备硅纳米线(英文)[J].材料科学与工程学报,2013,31(4):495-497. 被引量:2
  • 4白晓宇,郭群超,柳琴,庞宏杰,张滢清,李红波.PECVD法生长晶化硅薄膜的机理[J].材料科学与工程学报,2013,31(3):361-364. 被引量:4
  • 5B. Yu, X. H. Sun, G. A. Calebotta, et al. One-dimensional Germanium Nanowires for Future Electronics [J]. J. Cluster Sc. , 2006, 17(4): 579-597.
  • 6L.-Z. Zhao, W.-C. Lu, W. Qin, etal. Fragmentation behavior of Gen clusters (2 ≤ n ≤ 33) [J]. Chem. Phys. Lett., 2008, 455: 225-231.
  • 7D. Bandyopadhyay, P. Sen. Density Functional Investigation of Structure and Stability of Ge, and Ge, Ni (n - 1- 20) Clusters: Validity of the Electron Counting Rule[J]. J. Phys. Chem. A, 2010, 114(4): 1835-1842.
  • 8S. N. Khanna, P:lena. Assembling crystals from clusters[J]. Phys. Rev. Lett. , 1993, 69(11):1664-1667.
  • 9V. Kumar, Y. Kawazoe. Metal-Encapsulated Caged Clusters of Germanium with Large Gaps and Different Growth Behavior than Silicon[J]. Phys. Rev. Lett. , 2002, 88 (23):235504-235504.
  • 10M. Akutsu, K. Koyasu, J. Atobe, et al. Electronic Properties of Si and Ge Atoms Doped In Clusters: In, Si,, and In-Ge,n[J]. J. Phys. Chem. A, 2007, 111 (4) 573-577.

二级参考文献39

共引文献10

同被引文献22

引证文献3

二级引证文献9

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