氮化镓/硅功率电子元件晶圆温度的精确测量

硅基氮化镓（Ga N/Si）元件的制作工艺中,金属氧化物化学汽相沉积（MOCVD）过程的温度测量难度较高。理论上,传统红外线高温计可以满足要求,硅基可以吸收整个沉积生长相关温度范围内的全部红外线。然而在工业应用中,反馈控制和统计过程控制（SPC）精度都会受到一种人为因素的影响。