用集成驱动器优化GaN性能

将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能,并且简化基于GaN的功率级设计。氮化镓（GaN）晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多,从而有可能实现更低的开关损耗。然而,当压摆率很高时,特定的封装类型会限制GaN FET的开关性能。