测量技术与设备

Y98-61161-841 9900853单片毫米波混频器的基于异质结双极晶体管的 InP 肖特基二极管的1/f 噪声建模=1/f noise modeling of InPHBT-based Schottky diodes for monolithic millimeter-wave mixers[会,英]/Chung,Y.H.//1997 IEEEMTT-s International Microwave Symposium,Vol.2(Di-gest).—841～844(AG)本文介绍设计基于毫米波 InP HBT 的肖特基二极管的低频噪声模型的一种方法。这种模型对于分析混频器和检波器 MMIC 特别有用。文章重点阐述了采用 InP HBT 工艺制做的肖特基二极管的噪声模型,以及利用该模型进行的性能模拟结果同 W 波段混频器测量结果的比较。