化合物半导体

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摘要 Y98-61383-201 9904263声-电应用的准单片 GaAs/LiNbO<sub>3</sub>混合体=Quasi-monolithic GaAs/LiNbO<sub>3</sub>-hybrids for acoustoelectric ap-plications[会,英]/Rotter.M.& Wixforth,A.//1997IEEE Ultrasonics Symposium,Vol.1.—201～204（YG）

出处《电子科技文摘》 1999年第4期7-7,共1页 Sci.& Tech.Abstract

关键词化合物半导体混合体单片集成应用半导体异质结压电材料量子阱结构声表面波延迟线声表面波器件相结合

分类号 TN [电子电信]

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