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摘要 Y98-61303-149 9904610工艺综合方法论在首次制造合格的高性能深亚微米CMOS 电路中的应用=An application of process syn-thesis methodology for first-pass fabrication success ofhigh performance deep-submicron CMOS[会,英]/Saxe-

出处《电子科技文摘》 1999年第4期43-43,共1页 Sci.& Tech.Abstract

关键词深亚微米电子工艺方法论工艺综合高性能半导体硅材料集成电路学术会议测试要求电子学会

分类号 TN [电子电信]

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1Hani J. Kbashi.Fabrication of Submicron-Diameter and Taper Fibers Using Chemical Etching[J].Journal of Materials Science & Technology,2012,28(4):308-312. 被引量：2
2桑立雯,秦志新,方浩,张延召,李涛,许正昱,杨志坚,沈波,张国义,李书平,杨伟煌,陈航洋,刘达义,康俊勇.AlGaN-Based Deep-Ultraviolet Light Emitting Diodes Fabricated on AlN/sapphire Template[J].Chinese Physics Letters,2009,26(11):219-222. 被引量：4
3何玉表,张文肃.微米、亚微米及深亚微米CMOS工艺技术研究[J].微处理机,1997,18(1):1-7. 被引量：1
4甘学温,赵冬燕,莫邦燹.深亚微米CMOS将成为RFIC的候选技术[J].世界产品与技术,2002(4):18-21.
5李金城,杨华中.一种新的1024点基-2 FFT旋转因子产生电路的结构(英文)[J].Journal of Semiconductors,2004,25(4):377-382.
6朱桂兵.无铅焊膏的选择与评估[J].丝网印刷,2012(6):45-48.
7李霞,陈杰,周莉,黄玄.AVS环路滤波器的VLSI设计与实现[J].现代电子技术,2008,31(19):168-172. 被引量：1
8鲁勇,张文俊,杨之廉.响应表面法在工艺综合中的应用[J].Journal of Semiconductors,2002,23(10):1116-1120. 被引量：2
9鲁勇,张文俊,郑期彤,李成,杨之廉.工艺综合及其在MOSFET和双极器件中的应用[J].微电子学,2003,33(1):37-40.
10任炳礼.移动通信设备在市场竞争中的结构、工艺技术[J].无线电工程,1993,23(3):47-51.

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