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化合物半导体

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摘要 Y98-61303-397 9905650Al<sub>0.4</sub>Ga<sub>0.6</sub>P/GaP 量子阱的短波长发光二极管=Shortwavelength light emitting diodes in Al<sub>0.4</sub>Ga<sub>0.6</sub>P/GaPquantum wells[会,英]/Gerhold,M.& Kamath,K.//1997 IEEE International Electron Devices Meeting.—397~400(AG)Y98-61303-545 9905651基于氧化物的化合物半导体电子学=Oxide basedcompound semiconductor electronics[会,英]/Mishra,U.K.& Parikh,P.//1997 IEEE International ElectronDevices Meeting.—545~548(AG)
出处 《电子科技文摘》 1999年第5期7-8,共2页 Sci.& Tech.Abstract
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