晶体管、MOS器件

Y98-61303-305 9905795无线通信的低噪声场效应晶体管(FET)设计=Lownoise FET design for wireless communications[会,英]/Franca-Neto,L.M.//1997 IEEE International ElectronDevices Meeting.—305～308(AG)本文研究了对适合于无线电通信用的低噪声场效应晶体管(FET)设计的半导体器件的噪声进行显微分析的新方法,包括计算器件噪声性能的计算方法。并将模拟结果同公布的亚微米 CMOS 晶体管的研究结果进行了比较。