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掺杂、扩散、离子注入工艺

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摘要 Y98-61303-467 9905949硼的硼增强扩散:超浅结的限制因数=Boron-en-hanced-diffusion of boron:the limiting factor for ultra-shallow junctions[会,英]/Agarwal,A.& Eaglesham,D.J.//1997 IEEE International Electron Devices Meet-ing.—467~470(AG)
出处 《电子科技文摘》 1999年第5期37-38,共2页 Sci.& Tech.Abstract
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