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热处理与表面处理工艺

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摘要 Y98-61304-235 9905970在500～550℃温度范围内汽相反应对 LPCVD 硅薄膜生长速率的贡献=Contribution of gas phase reactions

出处《电子科技文摘》 1999年第5期39-40,共2页 Sci.& Tech.Abstract

关键词表面处理工艺热处理生长速率硅薄膜温度范围反应对低压化学汽相淀积贡献电镀溶液接头

分类号 TN [电子电信]

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1999年第5期

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