自动测试及其系统

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摘要 Y98-61482-405 9908253机内自测试(含3篇文章)=Session 7B:BIST[会,英]//1997 IEEE International Conference on Computer-Aided Design.—405～426(HG)本部分3篇论文的题目是:系统底板故障的机内自测的测试图生成器,采用冗余寄存器传送的测试综合技术,以及同步时序电路的机内测试生成技术。

出处《电子科技文摘》 1999年第6期124-125,共2页 Sci.& Tech.Abstract

关键词自动测试同步时序电路机内自测试机内测试寄存器传送综合技术生成技术生成器测试图自动化测试系统

分类号 TN [电子电信]

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1膜混合集成电路、MOS集成电路[J].电子科技文摘,1999(6):36-36.
2秦军瑞,陈书明,李达维,梁斌,刘必慰.Temperature and drain bias dependence of single event transient in 25-nm FinFET technology[J].Chinese Physics B,2012,21(8):590-594. 被引量：2
3Changping CHEN,Xiangliang JIN,Lizhen TANG,Hongjiao YANG,Jun LUO.Simulation analysis of combined UV/blue photodetector in CMOS process by technology computer-aided design[J].Frontiers of Optoelectronics,2014,7(1):69-73.
4陈铭.集成电路工艺模拟技术及新发展[J].集成电路应用,2014,0(5):24-26.
5自动化技术与远动技术[J].电子科技文摘,1999(6):155-155.
6模拟技术与模拟装置[J].电子科技文摘,1999(6):131-132.
7胡清兰,单家方.COMPUTER-AIDED OPTIMIZATION DESIGN OF BANDPASS FILTER WITH DIELECTRIC RESONATORS[J].Journal of Electronics(China),1989,6(4):327-336.
8李达维,秦军瑞,陈书明.The temperature dependence of single-event transients in 90-nm CMOS dual-well and triple-well NMOSFETs[J].Chinese Physics B,2013,22(2):586-590.
9郭维,丁扣宝,韩成功,朱大中,韩雁.N型LDMOS器件在关态雪崩击穿条件下的退化[J].浙江大学学报（工学版）,2011,45(6):1038-1042.
10刘征,陈书明,陈建军,秦军瑞,刘蓉容.Parasitic bipolar amplification in a single event transient and its temperature dependence[J].Chinese Physics B,2012,21(9):607-612. 被引量：2

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