摘要
Y99-61526-215 9912693先进栅极介电材料（含4篇论文）=Session 22:ad-vanced gate dielectrics[会,英]//1998 IEEE Symposiumon VLSI Technology（Digest of Technical Papers）.—215～223（V）本部分含4篇论文。篇名是用于未来 CMOS 工艺的采用 TaO 的叠层栅极介电材料,适用于千兆规模工艺的高健壮性超薄栅极介电材料,采用基于 N<sub>2</sub>O
出处
《电子科技文摘》
1999年第9期6-6,共1页
Sci.& Tech.Abstract
