元素半导体

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摘要 9912741电子束再结晶法制备的纳米硅薄膜室温光致发光特性[刊]/余云鹏//功能材料.—1999,30(1).—26～28(C)用电子束再结晶的方法对非晶硅氢材料进行快速退火,成功地制备出纳米硅薄膜,在室温下观察到光致红、蓝发光带,峰位约在1.7eV 和2.5eV 处,XRD 和PL 谱结果表明:晶化程度的变化引起红、蓝光带强度及在整个发光谱中所占比例的改变,在我们的实验中,

出处《电子科技文摘》 1999年第9期9-10,共2页 Sci.& Tech.Abstract

关键词纳米硅薄膜电子束再结晶元素半导体光致发光特性功能材料快速退火非晶硅发光带晶化程度

分类号 TN [电子电信]

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1贺东江.半导体材料的分类及应用[J].冶金标准化与质量,1998(2):40-43.
2元素半导体[J].电子科技文摘,2002,0(7):9-9.
3袁桐.化合物半导体材料的发展[J].新材料产业,2000(9):68-70. 被引量：1
4王岚,郭西缅.Fe刻蚀金刚石的速率[J].人工晶体学报,1997,26(2):117-120. 被引量：4
5吴海平,张国庆,王辉,夏燕萍,陶宇,陶国良.低维Ⅳ元素半导体纳米材料制备方法的研究进展[J].材料导报（纳米与新材料专辑）,2009,23(2):75-78.
6元素半导体[J].电子科技文摘,2000(4):8-8.
7盛篪,周铁城,龚大卫,樊永良,王建宝,张翔九,王迅.在Ge和SiGe复合缓冲层上生长高质量Ge／Si超晶格[J].Journal of Semiconductors,1996,17(1):1-5. 被引量：3
8元素半导体[J].电子科技文摘,2000(5):7-7.
9蔡艳.砷化镓芯片生产线——半导体产业布局中的新亮点[J].半导体技术,2003,28(4):19-20. 被引量：4
10郭西缅,王岚.Fe刻蚀金刚石的工艺因素[J].人工晶体学报,1997,26(2):158-160. 被引量：8

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1999年第9期

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