摘要
Y98-61460-138 9915228用0.4μm 高电子迁移率晶体管技术设计高抽样率持续∑△调制器模拟元件的研究=Design of the analogcomponents for high sampling rate continuous ∑△ modu-lation in 0.4μm HEMT technology[会,英]/Olmos.A.& Miyashita.T.//1998 IEEE 2nd International CaracasConference on Devices.Circuits and Systems.—138~141(YG)本文提出了一种利用0.4μm InGaP/InGaAs 高电子迁移率晶体管技术设计的高抽样比∑△调制器的关键元件.该二级持续时间∑△调制器电路具有与其它电路完全不同的结构,包括一对高线性度 V-I 转换器,高速运算放大器.高速1比特数模转换单元。
出处
《电子科技文摘》
1999年第10期41-41,共1页
Sci.& Tech.Abstract