摘要
Y98-61452-169 9915821在薄非晶层 SiO<sub>2</sub>中的击穿统计滞后时间的测量=Measurements of statistical lay time of breakdown in thinamorphous layers of SiO<sub>2</sub>[会,英]//1998 IEEE Interna—tional Symposium on Electrical Insulation,Vol.1.—169～172（AG）文中介绍了金属-氧化物.半导体（MOS）结构中击穿的实验检验情况。从结果情况来看,需开发用于研究非晶固态薄膜击穿用的液态电介质材料的理论方法。表明固体非晶电介质层对于测试液体击穿的电离机理是一个相当好的模型系统。参69915822一种快速高精度测频方法[刊]/郑丹玲//重庆邮电学院学报.—1999,11（2）.—56～57,62（C）
出处
《电子科技文摘》
1999年第10期89-89,共1页
Sci.& Tech.Abstract
