半导体集成电路、单片和多片集成电路

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摘要介绍了采用嵌入式传输线(ETL)和顶端接地的低噪声高性能 K/Ka 频带 P 型高电子迁移率晶体管(PHEMT)MMIC 放大器的设计、构造及性能。在工作频率为31GHz,增益为25dB 时噪声系数为1.2dB。这些放大器可以制作成低成本、超小型接收机模块,用于新兴的航天相控阵通信。这种带有 I/O 和偏压垫片的ETL MMIC 芯片级的封装特性适于倒装芯片组装,从而简化了封装要求。

出处《电子科技文摘》 1999年第11期39-39,共1页 Sci.& Tech.Abstract

关键词多片集成电路半导体集成电路高电子迁移率晶体管放大器传输线小型接收机噪声系数低噪声嵌入式工作频率

分类号 TN [电子电信]

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