摘要
本会议录收入了1998年10月4日至8日在日本奈良市举行的第16届国际半导体激光器会议上的130多篇文章的摘要。内容主要涉及半导体激光器(包括基于氮化的、InGaN 多量子阱激光器,GaIn/GaN激光器,InGaP/InGaAlP 激光器,AlGaInP 大功率激光器等)及其在通信中的应用,4波混合技术,激光器材料和增益特性,长波长 DFB 激光器,高速调制技术,激光器新结构,中红外和远红外激光器,波分复用光源等。
出处
《电子科技文摘》
1999年第11期113-113,共1页
Sci.& Tech.Abstract