半导体与微电子技术

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摘要 1999年 IEEE 国际微电子测试结构会议录（见0004512）氧浓度和衬底温度对透明导电 Cd<sub>2</sub>SnO<sub>4</sub>薄膜光学性质的影响（见0003782）HBT 中基区内建电场的物理机制及其理论分析（见0003773）InGaP/GaAs 异质结价带不连续性的直接测量（见0003577）

出处《电子科技文摘》 2000年第3期23-23,共1页 Sci.& Tech.Abstract

关键词微电子技术半导体薄膜光学性质测试结构衬底温度透明导电价带不连续性会议录内建电场物理机制

分类号 TN [电子电信]

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1唐文国,王富朝,李自元,沈学础.退火对a-Si_xC_(1-x):H薄膜光学性质的影响[J].红外研究,1989,8(3):165-170.
2张锡健,马洪磊,王卿璞,马瑾,宗福建,肖洪地,计峰.退火温度对低温生长Mg_xZn_(1-x)O薄膜光学性质的影响[J].物理学报,2006,55(1):437-440. 被引量：1
3马婷婷,吴卫东.实验条件对a-CN_x∶H薄膜光学性质影响的研究进展[J].机电信息,2015(24):90-91.
4周华.p—InGaAlP／p—GaAs异质结构的电流—电压特性[J].发光快报,1993,14(6):36-39.
5黄春晖.Si/GaAs异质结界面态及其价带不连续性[J].Journal of Semiconductors,1990,11(7):485-492.
6徐红钢,陈效建,高建峰.InGaP/GaAs异质结价带不连续性的直接测量[J].固体电子学研究与进展,1999,19(3):241-245. 被引量：1
7金冬月,张万荣,吴春瑜.射频功率HBT自加热效应及补偿方法[J].微电子学,2006,36(3):288-291. 被引量：2
8柯三黄,黄美纯,王仁智.Si－GaAs（001）异质界面的价带不连续性及其应变效应[J].Journal of Semiconductors,1996,17(3):171-176.
9张安康.监测CMOSIC关键失效的微电子测试结构[J].微电子学,1996,26(1):29-34.
10张天红,薛书文,苏海桥,袁兆林,陈猛,祖小涛.退火对ZnS薄膜光学性质和结构的影响[J].湛江师范学院学报,2010,31(3):47-52. 被引量：1

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