晶体管、MOS器件

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摘要 Y2000-62027-37 0005671珠式凸点应力对缩比 MOS 场效应晶体管器件退化的影响=The influence of Stud bumping Stress on devicedegradation in scaled MOSFETs[会,英]/Shimoyama,N.& Machida,K.//1999 IEEE International Reliabili-ty Physics Symposium.—37～41(UC)

出处《电子科技文摘》 2000年第4期28-32,共5页 Sci.& Tech.Abstract

关键词金属肖特基势垒场效应晶体管绝缘栅双极晶体管异质结双极晶体管高电子迁移率晶体管器件退化收录论文论文题目功率器件晶闸管可靠性

分类号 TN [电子电信]

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