摘要
Y99-61799-361 0007273利用 CHl:H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>:H<sub>2</sub>O 溶液制备 GaAs 场发射阵列的发射能力=Emission capabilitieS of GaAs field emitter ar-rays fabricated using a HCl:H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>:H<sub>2</sub>O solution[会,英]/Yaradou,O.& Ducroquet,F.//Proceedings of1998 International Semiconductor Conference.Vol.2.—361～364（UG）对于 GaAs 腐蚀来说,HCl:H<sub>2</sub>O<sub>2</sub>:H<sub>2</sub>O（40:4:1）溶液具有高的各向同性特性。
出处
《电子科技文摘》
2000年第5期7-7,共1页
Sci.& Tech.Abstract
